IRF640NPBF TRANS MOSFET N-CH 200V 18A TOT 220

Model NR.
IRF640NPBF
pakket
to-220
kwaliteit
origineel nieuw origineel
D/C
19+
fig.
oneindig
Transportpakket
Box
Oorsprong
China
Gs-Code
8542390000
Productiecapaciteit
1000000PCS
Referentieprijs
$ 0.30 - 5.40
Neem contact met ons op

Beschrijving

Beschrijving

IRF640NPBF :  Trans MOSFET N-CH Si 200V 18A 3-pins(3+Tab) NAAR-220AB buis

Pakket: BGA

MFR. Onderdeel#: IRF640NPBF

MFR.: INFINEON

Datasheet: pdf
IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
(E-mail of chat ons voor PDF-bestand)

ROHS-status: rohs, PB-VRIJ
IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

Kwaliteit: 100% origineel

Garantie: 180 dagen

 

 

 

Onderdeelstatus Actief  
FET-type N-kanaal  
Technologie MOSFET (metaaloxide)  
Drain naar bronspanning (Vdss) 200 V.  
Stroom - continu aftappen (ID) bij 25 °C. 18 A (TC)  
Rijspanning (Max RDS aan, Min RDS aan) 10 V.  
RDS aan (max.) bij ID, VGS 150 mOhm bij 11 A, 10 V.  
VGS(Th) (max.) @ ID 4 V bij 250µA  
Laaddruk aanspuitopening (QG) (max.) bij VGS 67nC bij 10 V.  
VGS (max.) ±20 V.  
Ingangscapaciteit (CISS) (max.) bij VdS 1160pF bij 25 V.  
FET-functie -  
Vermogensdissipatie (max.) 150 W (TC)  
Bedrijfstemperatuur -55°C ~ 175°C (TJ)  
Type montage Door gat  
Apparaatpakket leverancier NAAR-220AB  
Pakket/doos TO-220-3


De vijfde generatie HEXFET Power MOSFET's van de International Rectifier maken gebruik van geavanceerde verwerkingstechnieken om een extreem lage on-resistentie per siliciumgebied te bereiken. Dit voordeel, gecombineerd met de snelle schakelsnelheid en het robuuste ontwerp van apparaten waar HEXFET Power MOSFET's bekend om staan, biedt de ontwerper een uiterst efficiënt en betrouwbaar apparaat voor gebruik in een breed scala aan toepassingen. Het TO-220-pakket heeft universeel de voorkeur voor alle commercieel-industriële toepassingen met een stroomdissipatie van ongeveer 50 watt. De lage thermische weerstand en de lage pakketkosten van de TO-220 dragen bij aan de brede acceptatie ervan in de hele industrie. De D2Pak is een opbouwpakket dat geschikt is voor matrijzen tot HEX-4. Het biedt de hoogste stroomcapaciteit en de laagst mogelijke weerstand in elk bestaand opbouwpakket. De D2Pak is geschikt voor toepassingen met hoge stroomsterkte vanwege de lage interne verbindingsweerstand en kan tot 2,0 W afvoeren in een normale opbouwtoepassing.

Belangrijkste kenmerken

  • Geavanceerde procestechnologie
  • Dynamische dv/dt-classificatie
  • Bedrijfstemperatuur van 175 °C.
  • Snel schakelen
  • Volledig Avalanche beoordeeld
  • Gemak van parallelschakeling
  • Vereisten voor eenvoudige schijven
  • Loodvrij







IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220







 


IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220


IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220

IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220
IRF640NPBF Trans MOSFET N-CH 200V 18A TO-220


Waarom voor ons kiezen

  • Gelegen in Shenzhen, het elektronische marktcentrum van China.
  • 100% garantie kwaliteit componenten: Origineel origineel.
  • Voldoende voorraad op uw dringende vraag.
  • Geavanceerde collega's helpen u problemen op te lossen om uw risico te verkleinen met on-demand productie
  • Snellere verzending: Op voorraad kunnen componenten dezelfde dag worden verzonden.
  • 24-uurs service  

 

Opmerking:

  1. Productafbeeldingen dienen alleen ter referentie.
  2. U kunt contact opnemen met de verkoper om een betere prijs aan te vragen.
  3.  Voor meer producten aarzel niet om contact op te nemen met ons verkoopteam.  

 

Geïntegreerd Circuit

LEGALIS.IT, 2023