AUX Flyback Converter One Switch-ologieën Osg90r1K2af To251 hoogspanning Macht Mosfet

Model NR.
OSG90R1K2AF TO251
Model
PC817
Batch Number
2010 +
Merk
Orimental
toepassingen
pc-voeding
industrieën
led-verlichting
kenmerken
uitstekende stabiliteit en uniformiteit
beschrijving
extreem laag schakelverlies
Transportpakket
Air
Handelsmerk
Orientalsemiconductor
Oorsprong
China
Gs-Code
854129000
Productiecapaciteit
20kkkk/Monthly
Referentieprijs
$ 0.16 - 0.18
Neem contact met ons op

Beschrijving

Algemene beschrijving
De GreenMOS ® hoogspannings-MOSFET maakt gebruik van de charge balance-technologie om een uitstekende lage weerstand en lagere gate-lading te bereiken. Het is ontworpen om geleidingsverlies te minimaliseren, superieure schakelprestaties en robuuste lawine-mogelijkheden te bieden.
De GreenMOS ® Z-serie is geïntegreerd met een snelle hersteldiode (FRD) om de hersteltijd bij terugdraaien te minimaliseren. Het is geschikt voor resonante schakeltopologieën om een hogere efficiëntie, een hogere betrouwbaarheid en een kleinere vormfactor te bereiken.

Functies
  • LAAG RDS (AAN) EN FOM
  • Extreem laag schakelverlies
  • Uitstekende stabiliteit en uniformiteit
  • Ultrasnelle en robuuste diode

Toepassingen                                                                                             
  • Pc -voeding
  • Telecom -vermogen
  • Serverkracht
  • EV -lader
  • Motoraandrijving


Belangrijkste prestatieparameters
 
Parameter Waarde Eenheid
VDS , min. bij TJ (max.) 650 V
ID , puls 240 A
RDS (AAN), MAX. BIJ VGS = 10 V. 30 Memo
VGG 178 NC

Informatie over markeren
 
Productnaam Pakket Markering
OSG60R030HZF TO247 OSG60R030HZ
Absolute maximumwaarden bij TJ =25°C tenzij anders vermeld
 
Parameter Symbool Waarde Eenheid
Spanning van de drain-bron VDS 600 V
Spanning van gate-bron VGS ±30 V
Continue aftapcurrent1 ) , TC =25 °C.
ID 		80
A
Continue aftapcurrent1 ) , TC =100 °C. 50
Gepulseerde afvoerstroom2 ) , TC =25 °C. ID , puls 240 A
Continue diode vooruit-current1 ) , TC =25 °C. IS 80 A
Diode pulserende stroom 2 ) , TC =25 °C. IS , puls 240 A
Vermogensdissipatie3 ) , TC =25 °C. PD 480 W
Enkelpulserende lawine energy5 ) EAS 2500 MJ
MOSFET dv/dt robuustheid, VDS =0…480 V. dv/dt 50 V/ns
Omgekeerde diode dv/dt, VDS =0…480 V, ISD ≤ID dv/dt 50 V/ns
Werking en opslagtemperatuur Tstg , TJ -55 tot 150 °C

Thermische kenmerken
 
Parameter Symbool Waarde Eenheid
Thermische weerstand, aansluitkast RθJC 0.26 °C/W
Thermische weerstand, junction- ambient4 ) RθJA 62 °C/W

Elektrische karakteristieken bij TJ =25°C tenzij anders aangegeven
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Spanning bij stroomstoring van de drain BVDSS 600     V VGS =0 V, ID =1 MA
Drempelspanning van de poort VGS (Th) 3.0   4.5 V VDS =VGS , ID =2 MA,

Bron van de aftap
weerstand in de status
RDS (AAN) 		  0.028 0.030
IN DE 		VGS =10 V, ID =40 A
  0.058   VGS =10 V, ID =40 A, TJ =150 °C.
Lekstroom van gate-bron
IGSS 		    100
Na 		VGS = 30 V.
    -100 VGS = -30 V.
Lekstroom van de drain-bron IDSS     10 ΜA VDS =600 V, VGS =0 V.
Aanspuitweerstand RG   2.1   IN DE ƒ=1 MHz, Open afvoer


Dynamische karakteristieken
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Ingangscapaciteit CISS   9343   PF
VGS =0 V, VDS =50 V, ƒ=100 kHz
Uitgangscapaciteit COSS   708   PF
Capaciteit voor omgekeerde overdracht CRS   15   PF
Effectieve uitgangscapaciteit, gerelateerd aan energie CO (er)   345   PF
VGS =0 V, VDS =0 V-400 V.
Effectieve uitgangscapaciteit, tijdgerelateerd CO (tr)   1913   PF
Vertragingstijd bij inschakelen td (aan)   52.1   ns
VGS =10 V, VDS =400 V, RG =2 OHM, ID =40 A
Stijgtijd tr   105.2   ns
Uitschakelvertraging td (uit)   125.7   ns
Herfsttijd tf   4.1   ns

Laadkarakteristieken van de aanspuitopening
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Totale poortkosten VGG   177.9   NC

VGS =10 V, VDS =400 V, ID =40 A
Opladen van gate-bron QGS   37.4   NC
Afvoer van de poort Vraag   78.4   NC
Voltage van gate-plateau Vplateau   6.2   V

Kenmerken van de Body Diode
Parameter Symbool Min. Normaal Max. Eenheid Testconditie
Spanning diode vooruit VSD     1.4 V IS =80 A, VGS =0 V.
Hersteltijd omkeren trr   186.6   ns
IS =40 A,
Di/dt=100 A/μs
Teruglooplading Vraag   1.6   ΜC
Piekstroom voor herstel achteruit Irrm   15.4   A

Opmerking
  1. Berekende continue stroom gebaseerd op de maximaal toegestane knooppunttemperatuur .
  2. Herhaaldelijke waarde; pulsbreedte beperkt door max. knooppunttemperatuur .
  3. PD is gebaseerd op de max. knooppunttemperatuur, waarbij gebruik wordt gemaakt van thermische weerstand in de behuizing.
  4. VDD =100 V, VGS =10 V, L=80 MH, starten TJ =25 °C.
Aux Flyback Converter One Switch Opologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Opologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Opologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet Aux Flyback Converter One Switch Opologies Osg90r1K2af To251 High Voltage Power Mosfet

 

Halfgeleiders

LEGALIS.IT, 2023