| El modelo | CXK- K1 de la placa de la CTP téRmica positiva | |
| El paráMetro | La sensibilidad de los espectros | 830nm |
| Potencia del láSer | 110 MJ/centíMetro cuadrado-140MJ/centíMetro cuadrado | |
| La resolucióN | 1-99% 200lpi/10μFM | |
| Compatibilidad de UV | DespuéS de horneadas compatible | |
| El estado de coccióN | 230-250°C,8-12 minutos (se aplica con la placa de la solucióN de bicarbonato) | |
| Grosor | 0.15mm - 0.40mm | |
| Anchura máX. | 1200mm | |
| El almacenamiento | Tienda donde es fresco y seco, temperatura de 5-30°C, el 60%≤DER. | |
| Vida de anaquel | 18 meses | |
| El desarrollo de | Desarrollador/Replenisher | CXK- K1 -DVP |
| El desarrollo de la temperatura | 24°C ±2°C | |
| Velocidad de proceso | 20±5 s. | |
| La tasa de reposicióN | Dynamic 100ml/metro cuadrado Static 40-80ml/h | |
| La velocidad de pincel | 90-110r/min. | |
| La sustitucióN de productos quíMicos | De 2500-3000 metros cuadrados (no podráExceder de 8 semanas) | |
| PrecaucióN | Goma de Mascar placa | Se recomienda utilizar el chicle de buena calidad |
| El principio precaucióN | Manejar con cuidado | |
| Un pequeñO ajuste | En caso de un pequeñO ajuste es necesario, se sugieren para extender el tiempo de desarrollo en lugar de aumentar la temperatura de revelado. | |